| 氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。 Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有： 方法一直接氮化法：在1 300-l 400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为__________： 方法二化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氯气、氢气反应生成氯化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氮化硅纯度较高，其原因是____________________。 方法三 Si(NH2)4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体________（填分子式）；然后使Si(NH2)4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为____________。 Ⅱ．(1)氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有____________。 (2)已知：25℃，101 kPa条件下的热化学方程式： 3Si(s)+2N2(g)=Si3N4(s);△H= -750.2kJ/mol Si(s)+2Cl2(g)=SiCl4(g);△H=-609.6 kJ/mol H2(g)+Cl2(g)=HCl(g)；△H=-92.3 kJ/mol 请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：____________________。 Ⅲ．工业L制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下： |
| 已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。 (1)原料B的主要成分是____________。 (2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式：____________________ (3)上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？___________（填“能”或“不能”）。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式： 阳极:___________________；阴极：_____________________ |