下列说法正确的是（）A．4.0g碳化硅晶体中所含C-Si数为0.4NAB．PCl3、BF3、HClO这些分子中每个原子都达到了8电子结构C．电解精炼铜时，当阳极质量减少3.2g时，电路中转移的电子-高中化学-魔方格

◎ 题干

下列说法正确的是（　　）

A．4.0g碳化硅晶体中所含C-Si数为0.4N_A

B．PCl₃、BF₃、HClO这些分子中每个原子都达到了8电子结构

C．电解精炼铜时，当阳极质量减少3.2 g时，电路中转移的电子数为0.1N_A

D．若H⁺（aq）+OH^-（aq）=H₂O（l）；△H=-57.3kJ?mol^-1，则含Ba（OH）₂ 1 mol溶液与1 mol稀H₂SO₄反应放出的热量为114.6 kJ

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◎ 解析

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◎ 知识点

根据魔方格专家分析，试题“下列说法正确的是（）A．4.0g碳化硅晶体中所含C-Si数为0.4NAB．PCl3、BF3、HClO这些分子中每个原子都达到了8电子结构C．电解精炼铜时，当阳极质量减少3.2g时，电路中转移的电子…”主要考查了你对【电子排布式】，【原子核外电子的排布】，【晶胞】，【中和热】，【氧化还原反应的计算】等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”，你可以点击相应的链接进行查看和学习。

◎ 相似题

与“下列说法正确的是（）A．4.0g碳化硅晶体中所含C-Si数为0.4NAB．PCl3、BF3、HClO这些分子中每个原子都达到了8电子结构C．电解精炼铜时，当阳极质量减少3.2g时，电路中转移的电子”考查相似的试题有：

● A、B、C、D、E、F为原子序数依次增大的短周期主族元素．A、F原子的最外层电子数均等于其周期序数，F原子的电子层数是A的3倍；B原子核外电子分处3个不同能级，且每个能级上排布 ● 根据下列叙述，写出微粒符号．（1）原子核外有2个电子层，核外有10个电子的原子______；（2）原子核外有3个电子层，最外层有7个电子的原子______；（3）质量数为24，质子数等于中子 ● 下列粒子中，与NH4+具有相同质子数和电子数的是（）A．Na+B．F-C．OH-D．NH3 ● 下列微粒中，与氩原子具有相同电子层结构的是（）A．Na+B．C．D．Ne ● 原子核外电子是分层排布的，在不同电子层上运动着的电子能量是不同的，下列电子层上运动的电子能量最高的是（）A．L层B．K层C．N层D．M层